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            SiC 功率模块的开关特性

            通过以下的电感负荷双脉冲测试对SiC 功率模块的开关特性进行评估。模块内部的寄生电感约为25nH,电路的寄生电感约为15nH。
            电感负荷双脉冲测试电路
            4.3.1 漏极电流依赖性以及温度依赖性
            受益于SBD(或者MOSFET 的体二极管)的快速恢复特性,SiC 功率模块的恢复损耗Err 基本为零。而且MOSFET 中不存在尾电流,所以与IGBT 相比,Eoff 也非常的小。Eon 和Eoff 基本上随电流呈比例增加的趋势(上升率取决于外部Rg)。Si‐FRD 的恢复电流和IGBT 的尾电流在高温下会增大,相对之下,由多数载流子器件构成的SiC 模块随温度变化产生的损耗变化非常小。由于在高温下阈值会降低,所以Eon 变小,而Eoff 有稍微变大的趋势。文章来源:http://www.csexcash.com/js/168.html
            Switching Loss vs Drain Current
            4.3.2 门极电阻依赖性
            在外部门极电阻大的情况下,流向门极的充放电电流值变小,开关速度变慢。与此同时,Eon、Eoff 增大,从而有可能发挥不出它原本的性能,所以请尽量选择阻值低一些的门极电阻。
            Switching Loss vs Gate Resistance (Tj=25℃)
            dV/dt、 dI/dt 针对外部门极电阻的依赖性如下图所示。如果降低外部门极电阻的阻值,则dV/dt、dI/dt 的值会增大。ROHM 的SiC 功率模块在各种各样的条件下都进行过实验,但是在目前的调查中
            还没有发现过dV/dt 破坏、dI/dt 破坏的破坏模式。转载请注明出处:http://www.csexcash.com
            Switching Loss vs Gate Resistance (Tj=25℃)
            dV/dt、 dI/dt 针对外部门极电阻的依赖性如下图所示。如果降低外部门极电阻的阻值,则dV/dt、dI/dt 的值会增大。ROHM 的SiC 功率模块在各种各样的条件下都进行过实验,但是在目前的调查中
            还没有发现过dV/dt 破坏、dI/dt 破坏的破坏模式。
            dV/dt vs Gate Resistance (Tj=25℃)
            dI/dt vs Gate Resistance(Tj=25℃)
            4.3.3 门极偏压依赖性
            SiC MOSFET 的Vgs 额定范围为‐6~+22V。推荐的驱动条件是Vgs(on)=18V、Vgs(off)=0V 或者负偏压使用情况下的‐3V~‐5V。Vgs(on)、Vgs(off)越大,门极的充放电越快,Eon、Eoff 越小。但是请在额定范围内使用。
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