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            FF200R12KS4英飞凌IGBT模块

            产品作用和性能:
            英飞凌FF200R12KS4 是英飞凌公司专门针对高频应用领域而开发发行的62mmC-Series模块,在变频器中的应用实现了系统的高效率和小型化,其开关频率在20~50kHz的应用场合能发挥最大优良特性 。而在典型情况下, IGBT模块的优化,所针对的载波频率却是10kHz或更低。通常,在IGBT/FWD芯片的通态压降和开关损耗之间有一个折衷关系。高速模块在进行性能折衷时,是让通态电压偏大,以换取偏低的开关功耗,从而能在高频应用中实现最低的总功耗。其在医疗应用、电机传动、谐振逆变器应用、伺服驱动器、UPS系统作为高频开关使用。
            英飞凌IGBT模块FF200R12KS4 
            英飞凌IGBT模块FF200R12KS4
            上海菱端电子科技有限公司www.csexcash.com常备FF200R12KS4大量现货,价格从优,欢迎联系采购及技术支持。
             


            英飞凌FF200R12KS4机械特性 :
            • 封装的CTI>400 
            • 高爬电距离和电气间隙 
            • 绝缘的基板 
            • 铜基板
            • 标封装

            英飞凌FF200R12KS4 基本参数:IGBT模块,1200V/200A DUAL
             
            英飞凌FF200R12KS4 外形封装尺寸和结构图
             
            英飞凌FF200R12KS4 外形封装尺寸和结构图
             
            英飞凌FF200R12KS4 产品参数:
             
            产品种类: IGBT 模块
            产品: IGBT Silicon Modules
            品牌和型号 英飞凌FF200R12KS4
            配置: Dual
            集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
            集电极—射极饱和电压: 3.2 V
            在25 C的连续集电极电流: 275 A
            栅极—射极漏泄电流: 400 nA
            功率耗散: 1.4 kW
            最大工作温度: + 125 C
            封装 / 箱体: 62 mm
            商标: Infineon Technologies
            栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
            最小工作温度: - 40 C
            安装风格: Screw
            产品价格和中英文资料 联系我们咨询和索取
            每盒数量: 10
             
            英飞凌FF200R12KS4  等效电路
            英飞凌FF200R12KS4  等效电路
             
            英飞凌FF200R12KS4 IGBT模块受损原因分析
             
             IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定:
              --IGBT栅极与发射极之间的电压;
              --IGBT集电极与发射极之间的电压;
              --流过IGBT集电极-发射极的电流;
              --IGBT的结温。
              如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压,流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电流,IGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会永久性损坏。
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