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            IGBT并联技术一-IGBT均流问题

             IGBT并联均流分类

            IGBT并联均流

            • 影响静态均流的因素

            1、并联IGBT的直流母线侧连接点的电阻分量,因此需要尽量对称;
            2、IGBT芯片的Vce(sat)和二极管芯片的VF的差异,因此尽量采取同一批次的产品。
            3、IGBT模块所处的温度差异,设计机械结构及风道时需要考虑;
            4、IGBT模块所处的磁场差异;
            5、栅极电压Vge的差异。

            IGBT芯片的Vce(sat)和二极管芯片的VF的差异

            • 影响动态均流的因素

            1、IGBT模块的开通门槛电压VGEth的差异,VGEth越高,IGBT开通时刻越晚,不同模块会有差异;
            2、每个并联的IGBT模块的直流母线杂散电感L的差异;
            3、门极电压Vge的差异;
            4、门极回路中的杂散电感量的差异;
            5、IGBT模块所处温度的差异;
            6、IGBT模块所处的磁场的差异。

            IGBT模块的开通门槛电压VGEth的差异

            • IGBT芯片温度对均流的影响

            IGBT芯片的温度对于动态均流性能和静态均流性能影响很大:

            1、由于IGBT的Vcesat的正温度系数特性,使温度高的芯片的Vcesat更高,会分得较少的电流,因此形成了一个负反馈,使静态均流趋于收敛;
            2、根据我们的经验,我们发现,芯片温度变高后,动态均流的性能也会变好;例如在测试动态均流时,我们会使用双脉冲测试方法,但这时芯片是处于冷态的,当把机器跑起来后,动态均流会改善。

            • IGBT芯片所处的磁场对均流的影响

            IGBT模块附近如果有强磁场,则模块的均流会受到影响。

            1、如果两个IGBT模块并联且并列安装,如果交流排的输出电缆在摆放时靠近其中某一个IGBT模块而远离另外一个,则均流性能就会出问题;
            2、以上现象的原因是某个大电流在导线上流动时会产生磁场,对磁场内的其他导通的电流产生“挤出”或“吸引”的效应;

            因此,在结构设计时,需要注意交流排出线的走线形式,以免发生磁场的干涉现象。

             

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